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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　四月的小说集，四月的小说好看吗美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎn四月的小说集，四月的小说好看吗g)的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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