大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法宝剑锋从磨砺出梅花香自苦寒来的意思是什么，宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒全诗》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台宝剑锋从磨砺出梅花香自苦寒来的意思是什么，宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒全诗产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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