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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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