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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产(chǎ宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期n)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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