大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，202正三角形也叫什么形，正三角形有什么性质？1 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中(zhōng正三角形也叫什么形，正三角形有什么性质？)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生(shē正三角形也叫什么形，正三角形有什么性质？ng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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