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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安(帧率是高好还是低好，王者帧率是高好还是低好ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。帧率是高好还是低好，王者帧率是高好还是低好p>

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国(帧率是高好还是低好，王者帧率是高好还是低好guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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