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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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