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岂汝先人志邪的翻译是什么,岂汝先人志邪的翻译英文 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现(岂汝先人志邪的翻译是什么,岂汝先人志邪的翻译英文xiàn),美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险,影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá),目的(de)是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全,是(shì)维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng),只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一,2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中,江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就(jiù)分析,如(rú)果美(měi)光在(zài)岂汝先人志邪的翻译是什么,岂汝先人志邪的翻译英文中国区销售受到(dào)限制,或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

  分(fēn)析(xī)称,长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单(dān),设备国产化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等(děng)收入增长(zhǎng)。

 

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