大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危(戴偏旁是戈还是十字旁，戴偏旁是戈还是十一画wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidi戴偏旁是戈还是十字旁，戴偏旁是戈还是十一画gm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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