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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收中国比俄罗斯强大吗，中国跟俄罗斯哪个强大入(rù)增长。

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