大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng廉贞是什么意思，廉贞七杀是什么意思)络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(廉贞是什么意思，廉贞七杀是什么意思duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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