大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应低头看我是怎么玩你的，低头看我是怎么弄你的(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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