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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施无时无刻是什么意思 无时无刻不在，无时不刻是什么意思。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，无时无刻是什么意思 无时无刻不在，无时不刻是什么意思依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市无时无刻是什么意思 无时无刻不在，无时不刻是什么意思(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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