大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查拙荆是什么意思，拙荆是什么意思rong>

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)拙荆是什么意思，拙荆是什么意思与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。