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　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对邕包含南宁六县吗 邕包含武鸣区吗外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为(wè邕包含南宁六县吗 邕包含武鸣区吗i)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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