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2023年高考时间是几月几号,四川每年高考时间是几月几号

2023年高考时间是几月几号,四川每年高考时间是几月几号 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看(kàn)一(yī)则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前(qián),网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此,网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

  此次对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全(quán),是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称(chēng),为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全,防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美(měi)国(guó)的(de)存(cún)储芯片行业龙头(tóu),也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降,至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元(yuán),占(zhàn)比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì),公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

<2023年高考时间是几月几号,四川每年高考时间是几月几号p>  有券商此前就(jiù)分析(xī),如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制,或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75%。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名(2023年高考时间是几月几号,四川每年高考时间是几月几号míng)单,设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉(chén)积)等相关公(gōng)司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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