大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公海南岛的面积多大,人口有多少人，海南岛的面积多大,人口有多少室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关(guā海南岛的面积多大,人口有多少人，海南岛的面积多大,人口有多少n)键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比3海南岛的面积多大,人口有多少人，海南岛的面积多大,人口有多少3.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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