大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司尿布疹一般几天痊愈，宝宝尿布疹用什么药膏好得快在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按(àn)尿布疹一般几天痊愈，宝宝尿布疹用什么药膏好得快照(zhào)《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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