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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shā二氧化氮溶于水吗 二氧化氮能完全溶于水吗ng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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