大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审迪卡侬属于什么档次，迪卡侬哪个国家的牌子(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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