大家好，来看一(yī)则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。西安市城六区是哪几个ff0000; line-height: 24px;'>西安市城六区是哪几个>为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。