大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，四字拟声词四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D 四字拟声词有哪些ABAB式，abcd四字拟声词有哪些NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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