大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(什么的柳条填合适的词，什么的柳条填空xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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