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　　美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办硝酸锌化学式怎么写出来的，硝酸锌化学式子消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重大硝酸锌化学式怎么写出来的，硝酸锌化学式子安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 S硝酸锌化学式怎么写出来的，硝酸锌化学式子K 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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