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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(360借条是正规的吗guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)360借条是正规的吗ong>

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％360借条是正规的吗。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。