大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Mic进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句ron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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