大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美cos2x等于多少二倍角公式，cos2x等于多少公式国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占cos2x等于多少二倍角公式，cos2x等于多少公式比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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