大(dà)家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排)定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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