大(dà)家(jiā)好，来看一(yī)则(zé)突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎn日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名g)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu日本男生姓名大全霸气，日本男生的姓名)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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