大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn复刻版是正品吗，复刻是不是假货的意思)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供(gōng)应复刻版是正品吗，复刻是不是假货的意思商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最复刻版是正品吗，复刻是不是假货的意思(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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