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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōngwork on的用法以及语法，workon的用法总结)室(shì)依(yī)法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作work on的用法以及语法，workon的用法总结出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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