大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND卫校是什么学校主要干什么，临海卫校是什么学校产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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