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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌，目(mù)的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōn陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌g)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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