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碳的相对原子质量是多少,氮的相对原子质量

碳的相对原子质量是多少,氮的相对原子质量 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

  据网信(xìn)办(bàn)消息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查,目的(de)是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì碳的相对原子质量是多少,氮的相对原子质量)外开(kāi)放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导体(tǐ)突发(fā)!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日(rì),中国网信网发(fā)文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险,维(wéi)护国(guó)家安(ān)全,依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》,对美光(guāng)公(gōng)司(sī)(Micron)在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停(tíng)止采购!

  美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

  美光在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降,至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē),确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性,巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势(shì),公司也碳的相对原子质量是多少,氮的相对原子质量与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

  有券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī),如果美光在中国区销售受到限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo),催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù),薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān),设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù),看好拓(tuò)荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以及存储业务占比较高的(de)华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收入(rù)增(zēng)长。

 

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