大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司(sī)产(chǎ蟑螂在床上爬了还能睡吗，蟑螂在床上爬了还能睡吗n)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年蟑螂在床上爬了还能睡吗，蟑螂在床上爬了还能睡吗年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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