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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM 电动牙刷如何自w到高c，将电动牙刷放在小洞里作文（内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美(电动牙刷如何自w到高c，将电动牙刷放在小洞里作文měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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