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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(gu长城有什么特点和景观特点 长城是谁修建的ān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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