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台湾领导者是谁,现任台湾领导者是谁

台湾领导者是谁,现任台湾领导者是谁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突(tū)发消息。

  美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

  审查发现(xiàn),美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患(huàn),对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险,影响我国国家安全。为此(cǐ),网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求,欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险,维护国家(jiā)安全,依(yī)据《中华人(rén)民(mín)共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī),2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至2022年约台湾领导者是谁,现任台湾领导者是谁11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降,至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì),江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供应优势(shì),公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

  有(yǒu)券(quàn台湾领导者是谁,现任台湾领导者是谁)商此前就分析(xī),如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制,或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

  分(fēn)析称,长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子(zi)披露,薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好(hǎo)拓荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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