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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么>

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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