大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。加滕鹰是谁 加滕鹰是哪国

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长加滕鹰是谁 加滕鹰是哪国江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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