大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè缺少父爱的女生易恋上什么人，缺父爱的女孩子不会谈恋爱height: 24px;'>缺少父爱的女生易恋上什么人，缺父爱的女孩子不会谈恋爱)、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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