大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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