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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键氯化钾相对原子质量是多少，信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大氯化钾相对原子质量是多少，供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储氯化钾相对原子质量是多少，晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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