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　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)学生级和届怎么区分，毕业的级和届怎么区分应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)学生级和届怎么区分，毕业的级和届怎么区分圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，学生级和届怎么区分，毕业的级和届怎么区分g>国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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