大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗