大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障大学辍学和退学的区别，辍学和休学的区别关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAN大学辍学和退学的区别，辍学和休学的区别D Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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