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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā木梳子是桃木好还是檀木好，木梳子是桃木好还是檀木好呢)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash 木梳子是桃木好还是檀木好，木梳子是桃木好还是檀木好呢（闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产木梳子是桃木好还是檀木好，木梳子是桃木好还是檀木好呢已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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