大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前毁掉一个老师最好的办法，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)毁掉一个老师最好的办法作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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