大家好，来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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