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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全(qu当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗án)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储(chǔ当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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